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成果名称：
光化学蚀刻成型技术
完成单位： 清华大学材料科学与工程系
鉴定委员会主任： 李正邦 院士
鉴定编号： 鉴字[教NF2002]009号
鉴定水平： 项目属国内领先、国际先进水平
主要内容：
本成果对微电子封装中的关键高技术之一"光化学蚀刻成型技术"进行了系统研究。是利用在材料表面形成光刻胶图形，用强氧化性蚀刻溶液，刻出高精度（<±10μm）、复杂图形零件的技术。是涉及材料科学、表面界面物理、光、电化学等多学科的高技术。系统研究了质量控制技术、建立了四种工艺路线及其技术规程，具有如下特色：
蚀刻溶液特色：研究了光化学蚀刻机理，优选出保证产品尺寸精度、稳定性、均匀性的一种蚀刻液，适用于蚀刻各种合金材料（铁基、铜基合金、不锈钢等）。用固体氧化剂使溶液再生，解决了溶液易结晶的问题，有利于环保。
材料特色：研究出新型铁基、铜基引线框架合金，用其研究了蚀刻动力学两阶段（刻透、整形）的特点，提出了双面蚀刻系数的概念，用于指导蚀刻过程尺寸控制。制作了国际领先的304pin引线框架及系列框架（202、200、160等）用于万门级门阵列电路，符合应用要求。
数据库的建立：研究了不同材料、尺寸及图形对蚀刻尺寸精度的影响规律，建立了相应于不同材料、不同图形指导快速模板设计的数据库。
应用前景：
本技术可广泛应用于引线框架、精密金属零件、倒装焊芯片凸点（最小可达Φ80μm）、金属基板BGA（球直径Φ100μm）、芯片尺寸模块CSP、高密度多层集成基板（线宽100μm）、埋入元件以及工艺制品方面的小批量生产。本技术亦可应用于大批量生产。
鉴定会评价本项目技术属国际先进、国内领先水平，具有广泛的应用前景。
成果处供稿
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