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成果名称：基于SIL的近场光学存储机理研究
申请单位：清华大学 中国科技大学
鉴定编号：鉴字[教NP2004]第004号
鉴定日期：2004-06-30
学 科： 14计算机
成果简介：
《基于SIL的近场光学存储机理研究》是国家重点基础研究发展规划项目（973）《新型超高密度、超快速光信息存储与处理的基础研究》项目的中《近场光学存储机理研究》课题中的子课题。
近场光学的原理突破了经典光学的思路，进入了隠失场传播与转换和纳米局域场相互作用的研究。近场光学显微镜基于隐失波探测原理, 分辨率突破了经典光学的分辨率衍射极限，达到纳米量级，使光学分辨率提高了几十倍甚至上百倍。在近场光学存储中的固体浸没透镜SIL（Solid Immersion Lens）方案基于隐失场耦合效应得到超衍射分辨光斑。
本基础研究课题基于近场光学的基本原理。在SIL存储理论研究方面采用矢量衍射理论的方法，对SIL系统中的若干机理和理论问题进行了探索。
建立两套基于SIL的近场光学静态存储试验系统。在理论研究的基础上，进行了近场写入记录实验，获得了200nm的记录标记，深度为70 nm；采用近场光学探针方法得到120nm 的存储记录标记。用近场扫描显微镜测量了SIL聚焦光斑的近场光场分布；对SIL系统的信号探测进行了初步实验研究。
提出基于SIL的近场光学虚拟光探针，并采用FDTD法对这个方案进行了数值模拟计算研究，对隐失场干涉的规律做了初步的探索。提出了隐失场变迹术的概念，为优化设计明确了方向。采用聚焦离子束制作了200nm的微型孔径光栏，对双光束隐失场进行了近场光探测，在200nm深度范围内探测到周期为180nm的隐失场干涉条纹。获得了国家发明专利授权。
该成果所提出的基于SIL的近场光学虚拟光探针具有独创性，性能指标达到国际先进水平，填补了国内近场光学存储的空白。
本课题正式发表学术论文69篇，其中国际刊物8篇；国内刊物28篇；国际会议27篇；国内会议6篇；特邀报告4篇，其中SCI 9篇；EI 20篇。获国家发明专利受权1项，已申请国家发明专利正在审查2项。
近场光学存储是超高密度光学存储的重要研究领域和实用技术之一。这项技术如果能实用化产业化，将显著提高光盘存储性能，必将产生重大的经济和社会效益。
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